1、一种晶圆切割清洗液及其制备方法
[简介]：本技术涉及半导体晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆切割清洗液及其配方技术，包括如下重量份的原料：相变微胶囊1‑3份、螯合剂4‑8份、微乳液基质4‑8份、两亲性聚合物1‑3份、含氟表面活性剂1‑5份、3‑巯基丙基三甲氧基硅烷0.1‑0.3份、pH缓冲剂0.3‑0.6份、去离子水40‑70份。本技术中通过将相变微胶囊、螯合剂、微乳液基质、两亲性聚合物、含氟表面活性剂、3‑巯基丙基三甲氧基硅烷和pH缓冲剂等多种活性成分有机结合，实现了有机/无机/金属离子的同步高效去除，去除率可达到99.3%以上，显著提高了清洗效果，适用于先进封装晶圆切割后清洗。
2、一种半导体晶圆蚀刻灰化后清洗液及清洗方法
[简介]：本技术提供了一种半导体晶圆蚀刻灰化后清洗液及清洗方法，其属于半导体晶圆制造工艺技术领域。本技术提供的半导体晶圆蚀刻灰化后清洗液，以质量百分含量计，包括氟化物35~50%、有机胺10~25%、螯合剂12~22.5%、非唑类缓蚀剂0.01~1%和余量水，所述清洗液不含有机溶剂、强酸和强碱中的任意一种。本技术提供的清洗液含有较高含量的氟化物并采用了非唑类缓蚀剂，能够在完全高效去除等离子体灰化后产生的高密度残留物的同时，不腐蚀铜、铜合金、阻挡层以及低k介质层，避免了唑类缓蚀剂吸附在晶圆表面在后续清洗步骤造成残留，保证芯片良率，且不含有机溶剂，环保友好。
3、一种用于SiC晶圆清洗的清洗剂及其制备方法
[简介]：本技术涉及化学清洗剂技术领域，具体涉及一种用于SiC晶圆清洗的清洗剂及其配方技术。一种用于SiC晶圆清洗的清洗剂，按质量百分数计，该清洗剂由以下组分组成：有机酸组分10‑15％、表面活性剂6‑12％、助剂4‑6％、余量为水；所述酸洗组分包括丙二酸单乙酯、改性柠檬酸、氨基琥珀酸。本技术的针对现有清洗剂难以实现高效清洗，并且容易造成晶圆表面损伤，影响半导体器件性能与良率的问题，制备去除效果更优的清洗剂，具有高洁净度和可靠性，进而去除晶圆表面的污染物颗粒，并防止表面被二次腐蚀造成的损伤。
4、一种半导体高效稳定晶圆划片清洗液及其制备方法
[简介]：本技术涉及划片清洗液技术领域，特别涉及一种半导体高效稳定晶圆划片清洗液及其配方技术，以所述清洗液的重量分数为100%计，所述半导体高效稳定晶圆划片清洗液包括如下重量份的原料：1~5%聚乙二醇；8~10%聚氧乙烯月桂醚；1.5~2%非离子表面活性剂；0.5~1% pH调节剂；0.05~0.08%防腐剂；余量为超纯水。
5、一种半导体晶圆胺洗后清洗液及其制备方法与应用
[简介]：本技术涉及一种半导体晶圆胺洗后清洗液，按照重量份计算，包括如下组分：环保型有机溶剂50‑80份；氨基醇类缓蚀剂0.5‑3份；多羟基类缓蚀剂1‑5份；超纯水10‑20份。本技术还提供上述清洗液的配方技术与应用。本技术采用氨基醇类缓蚀剂和多羟基类缓蚀剂组成复合缓蚀剂，具有电负性大的N和O的极性基团和C、H的非极性基团，一方面，极性基团中电负性大的N和O含有孤对电子，孤对电子和金属发生相互作用，从而在金属、合金表面和腐蚀介质之间形成保护屏障，达到减缓金属腐蚀的目的；另一方面由于非极性基团紧密排列在金属表面形成一层疏水性保护膜，阻碍与腐蚀反应有关的电荷或物质的转移，从而使腐蚀反应受到抑制。
6、晶圆清洗液及晶圆清洗方法
[简介]：本技术提供一种晶圆清洗液，其包含一烷醇胺类化合物以及一醇醚类化合物。烷醇胺类化合物包含乙醇胺、二乙醇胺或其组合，醇醚类化合物包含乙二醇叔丁基醚、二乙二醇单丁醚或其组合；烷醇胺类化合物和醇醚类化合物的重量比为1：20至1：1.5。另外，本技术提供一种晶圆清洗方法，其包含：提供一经切割工艺的晶圆；提供一上述晶圆清洗液并以晶圆清洗液对经切割工艺的晶圆进行一清洁工序，得到一经清洁的晶圆；以及以水对经清洁的晶圆进行一漂洗工序，以得到一经清洗的晶圆。本技术能有效去除切割工艺后仍附着于晶粒表面的残留物。
7、用于去除铜镀层的晶圆清洗剂配方
[简介]：本技术涉及晶圆清洗技术领域，尤其是涉及一种用于去除铜镀层的晶圆清洗剂配方，其包括表面预处理、络合清洗和电化学增强清洗三个步骤。预处理采用有机酸与腐蚀抑制剂协同作用；络合清洗通过柠檬酸钠与过氧化氢的络合作用剥离铜离子，并利用微孔分隔板实现液体均匀分布；电化学增强清洗施加电场促进铜离子迁移，结合钛基涂层电极提升效率。本技术避免强酸强碱使用，降低环境影响，同时高效去除铜镀层并保护基底材料，具有显著技术进步和应用价值。
8、一种半导体晶圆干法蚀刻后残留硅渣的清洗剂
[简介]：本技术涉及一种半导体晶圆干法蚀刻后残留硅渣的清洗剂，按照质量百分比包括如下原料：季铵氢氧化物(5％～30％)、酚类化合物(1％～20％)、添加剂(0.1％～2％)和表面活性剂(0.05％～1％)，余量为水，本技术的目的在于，提供一种去除半导体晶圆干法蚀刻后残留硅渣的清洗剂组合物，组合物中不含氟化物体系，呈弱碱性，在较低的温度(低于50℃)下操作能有效去除干法刻蚀后的硅渣残留物，对原本晶圆上的金属线路、介电层及晶片底材材料无腐蚀或在硅渣去除能力和衬底刻蚀速率之间取得很好的平衡选择比，旨在解决现有技术中的问题。
9、一种晶圆清洗液配方动态调整方法
10、晶圆的清洗液及清洗方法
11、晶圆清洗液及半导体结构形成方法
12、一种大尺寸晶圆化学清洗液供给阀与供给方法
13、清洗液及晶圆的清洗方法
14、一种用于铜表面化学机械平坦化后清洗的晶圆清洗液
15、硅晶圆的清洗方法及制造方法、清洗液中的过氧化氢浓度的评估方法及管理方法
16、一种用于大尺寸单晶硅晶圆的易清洗液体蜡及其制备方法
17、InP晶圆切割保护液、制备方法及清洗液和清洗方法
18、一种晶圆抛光清洗剂及其制备方法
19、一种用于先进晶圆制造制程中蚀刻后残余物湿法去除的清洗液组分
20、一种半导体硅晶圆切割片清洗剂配方及其制备工艺
21、一种晶圆激光烧蚀后的清洗液及清洗方法
22、一种半导体硅晶圆片打磨清洗剂混合反应釜
23、半水基晶圆基底清洗液组合物及其使用方法
24、半导体晶圆基底清洗液组合物及其使用方法
25、一种高效稳定晶圆切割清洗液及其制备方法
26、一种用于半导体晶圆清洗过程中的清洗液组合物
27、一种清洗液循环流动的晶圆槽式清洗机
28、一种晶圆衬底抛光制程后清洗液
29、一种蓝宝石晶圆清洗剂及其制备方法
30、弯曲晶圆的清洗液及清洗方法
31、一种用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物
32、一种水基晶圆边胶清洗剂
33、一种用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液
34、一种用于清洗晶圆清洗刷的水基清洗液
35、晶圆清洗液、化学机械研磨后清洗方法及晶圆
36、一种去除铜晶圆表面颗粒抑制电偶腐蚀的碱性清洗液
37、一种用于半导体晶圆等离子蚀刻残留物的清洗液
38、一种用于半导体晶圆的光刻胶清洗液
39、用于使晶圆再生的含有含碳硅氧化物的材料的清洗液及清洗方法
40、一种晶圆背面清洗液
41、用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂及其制备和应用
42、一种化学机械研磨工艺中晶圆表面清洗液配置的优化方法
43、对晶圆背面进行清洗的方法及清洗液
44、晶圆研磨用清洗剂
45、晶圆抛光用清洗剂
46、晶圆的清洗液成分及其清洗方法
以上为本套技术的目录及部分简要介绍,内容包括具体的配方配比生产制作过程，费用200元，购买或咨询更多相关技术内容可联系：微信/电话：13510921263。
