使苯并三唑等的杂环苯化合物溶解于选自碳原子数为1-4的伯醇、碳原子数为2-4的二醇、式2所示的醚(m为1-4的整数)，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯及碳酸亚丙基酯中的1种以上中，并和构成磨粒的氧化物微粒的水分散液混合而制得研磨剂。在研磨由形成在绝缘膜2上的配线金属膜4和阻挡膜3构成的基板时，通过使用该研磨剂，可研磨速度高形成凹陷少、磨耗少、划痕少的埋入配线5。
  [A22873-0059-0004] 研磨剂用组合物及其调制方法
[摘要] 本发明的研磨组合物是特征为：由平均一次粒径为30～200nm、实质上单分散的氧化硅颗粒形成浓度为1～25重量％的胶体溶液，所述胶体溶液的pH值调制为8.7～10.5之间，用作具有缓冲作用的缓冲溶液，且作为成分之一，含有氟离子或氟配位阴离子形式的氟1～100mmol/Kg的研磨用组合物，且已知该研磨用组合物的pH变化小，研磨速度快，可清洗性好。使用本发明研磨组合物，不会降低硅片、半导体装置基板的研磨表面的品质，从而能够稳定地高速研磨。
  [A22873-0063-0005] 具有改善甜度分布及精细研磨疏松型甜味剂的无淀粉口香糖
[摘要] 公开了使用精细研磨疏松型甜味剂制得的口香糖组合物及生产此组合物的方法。口香糖组合物含约５％至约５０％的口香糖基料，约０．５至约３％的香料和约４０％到约９０％的粉末疏松型甜味剂，（优选的为蔗糖），其中粉末疏松型甜味剂的粒度分布使其至少６０％通过美国标准＃３２５筛网，优选的是７０％，或甚至９０％通过美国标准＃３２５筛网。优选的生产口香糖的方法是在口香糖基料混合前筛分精细研磨的疏松型甜味剂，或与预混有疏松型甜味剂的无淀粉助流剂混合。
  [A22873-0009-0006] 半导体用研磨剂、该研磨剂的制造方法和研磨方法
[摘要] 本发明提供一种半导体用研磨剂，它是含氧化铈研磨粒子、水和添加剂的半导体用研磨剂，其特征在于，上述添加剂选自水溶性有机高分子和阴离子性表面活性剂中的1种以上，25℃的上述研磨剂的pH为3.5-6，并且上述添加剂的总的浓度是研磨剂总重量的0.01-0.5％。该研磨剂同时具有分散稳定性、优异的刻痕性以及优异的研磨的平坦性。特别是在研磨硅基板上形成硅化氮膜3和硅氧化膜2而成的半导体基板时，该研磨剂可获得凹陷偏差少的优异的研磨平坦化特性，另外若使用该研磨剂时，可缩短研磨图形晶片的时间。
  [A22873-0057-0007] 化学机械抛光用研磨剂
[摘要] 一种用于抛光具有第一硬度的第一材料的浆料，其中该第一材料覆盖着一种具有第二硬度的第二材料并且第二硬度大于第一硬度，包括一种其硬度大于第一材料但小于第二材料的研磨剂。在本发明的一个具体实施方案中，以一种有硬度大于铜但小于铜扩散保护层的研磨剂的浆料对覆盖着铜保护层的铜进行抛光。氧化铁、钛酸锶、磷灰石、铁、黄铜、氟石、水合氧化铁和石青便是这些材料的例子，均它们比铜硬，但却比集成电路中一般用作铜保护层的材料要软。
  [A22873-0066-0008] 含助催化剂的可涂脲醛组合物由其制成的涂覆研磨材料及制取方法
[摘要] 含有脲－醛树脂和助催化剂的可涂覆脲－醛粘合剂前体组合物，产生质量更为稳定的涂覆研磨材料。此外，该组合物具有更长的适用期并能在较低的温度下固化。该脲－醛树脂的醛／脲比至少为１、０左右，最好约为１、０—２、０，其游离醛含量为醛的总重的３．０％左右。该助催化剂基本上由一种路易斯酸和一种选自铵离子盐和有机铵盐的盐组成。同时介绍了用该组合物制造涂覆磨料产品和其他磨料产品的方法。
  [A22873-0088-0009] 一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法
[摘要] 本发明公开了一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法，包括：一、在 CMP设备研磨垫(3)下方接入工作电极(1)，同时在研磨剂(4)中接入参 考电极和微电极，参考电极和微电极分别与工作电极连接并与一台处理器 连接以测量电流和电势；二、在研磨剂中加入腐蚀抑制剂，在硅片(2)上 方施加压力并使硅片和研磨垫产生摩擦作用；三、跟踪处理器上实时的电 流和电势的变化来评价腐蚀抑制剂的性能，四、记录三的结果并选定合适 的研磨剂中腐蚀抑制剂用于。上述步骤一中工作电极与硅片在硅片的每一 个循环周期会接触一次。本发明在CMP过程引入摩擦电化学技术来监控中金 属表面的特性变化，从而获得相应的腐蚀抑制剂的精确信息并可据此选择 合适的腐蚀抑制剂。
  [A22873-0017-0010] 铈类研磨材料浆剂及其制造方法
[摘要] 本发明是含有全稀土类氧化物(TREO)占95重量％以上的铈类研磨材料粒子的铈类研磨材料浆剂。上述铈类研磨材料粒子中，对应于TREO的氟含量不到3重量％，利用激光衍射法测得的粒径分布在规定范围内。另外，将对应于TREO的氟含量定为0.005-0.5重量％可改善附着性。
  [A22873-0051-0011] CMP研磨剂及基板的研磨方法
  [A22873-0076-0012] 超精研磨剂及其制备工艺
  [A22873-0050-0013] 氧化铈研磨剂以及包含该研磨剂的浆料
  [A22873-0030-0014] 立方氮化硼陶瓷结合剂研磨盘及其生产方法
  [A22873-0078-0015] 含胶囊化研磨剂材料的口香糖
  [A22873-0025-0016] 分散稳定性良好的研磨剂浆体及基板的制造方法

  [A22873-0023-0017] 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法
  [A22873-0072-0018] 丹参酮微粉制剂及其微波辅助共研磨制备方法
  [A22873-0039-0019] 化学机械研磨用水系分散体及研磨方法、调制用的试剂盒
  [A22873-0070-0020] 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法
  [A22873-0044-0021] 化学机械研磨用研磨剂及基板的研磨法
  [A22873-0052-0022] 研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法
  [A22873-0047-0023] 在粘结剂存在下研磨矿物材料的方法，获得的含水悬浮液及其用途
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源[A22873-0043-0051] 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法
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