6、锍盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
[简介]：本技术涉及锍盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本技术的课题为提供：在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性良好，且分辨性、LER、图案形状等光刻性能优异的化学增幅正型抗蚀剂组成物；以及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。本技术的解决手段为下式(A)表示的锍盐。
7、錪盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
[简介]：本技术涉及錪盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本技术提供使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性良好且分辨性、LER、图案形状等光刻性能优异的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。一种下式(A)表示的錪盐。
8、化学增幅型正型感光性组合物、感光性干膜、感光性干膜的制造方法、经图案化的抗蚀剂膜的制造方法及镀覆造型物的制造方法
[简介]：本技术涉及化学增幅型正型感光性组合物、感光性干膜、感光性干膜的制造方法、经图案化的抗蚀剂膜的制造方法及镀覆造型物的制造方法。课题是提供能够形成截面形状为矩形并且耐裂纹性优异的经图案化的抗蚀剂膜的化学增幅型正型感光性组合物。解决手段为化学增幅型正型感光性组合物，其包含在碱中的溶解性通过酸的作用而增大的树脂(A)、和通过活性光线或放射线的照射而产生酸的产酸剂(B)，树脂(A)包含2种以上的丙烯酸树脂(A1)，丙烯酸树脂(A1)具有特定结构的含酚式羟基的单元(a1)，并且含酚式羟基的单元(a1)的摩尔数相对于构成丙烯酸树脂(A1)的全部结构单元的摩尔数而言的比率为1mol％以上20mol％以下。
9、锍盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
10、分子抗蚀剂组成物及图案形成方法
11、化学增幅型正型感光性组合物、感光性干膜及其制造方法、经图案化的抗蚀剂膜、带有铸模的基板及镀覆造型物的制造方法
12、抗蚀剂组成物及图案形成方法
13、化学增幅型正型感光性组合物、感光性干膜及其制造方法、经图案化的抗蚀剂膜、带有铸模的基板及镀覆造型物的制造方法
14、高价铋化合物、抗蚀剂组成物及图案形成方法
15、化学增幅型正型感光性组合物、感光性干膜及其制造方法、经图案化的抗蚀剂膜、带有铸模的基板及镀覆造型物的制造方法
16、化学增幅型正型感光性组合物、感光性干膜及其制造方法、经图案化的抗蚀剂膜、带有铸模的基板及镀覆造型物的制造方法
17、抗蚀剂组合物及应用、抗蚀剂图案的制作方法
18、新型芳族缩合高分子化合物和抗蚀剂底层膜组合物
19、鎓盐单体、单体型光酸产生剂、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
20、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
21、鎓盐、光酸产生剂、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
22、抗蚀剂顶涂层组合物及使用所述组合物形成图案的方法
23、锍盐型单体、锍盐型淬灭剂、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物、及图案形成方法
24、锍盐型单体、锍盐型淬灭剂、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
25、鎓盐、光酸产生剂、化学增幅抗蚀剂组成物、及图案形成方法
26、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
27、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
28、含硅的抗蚀剂膜形成用组成物、及图案形成方法
29、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
30、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
31、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
32、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
33、鎓盐型单体、单体型光酸产生剂、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
34、鎓盐型单体、单体型光酸产生剂、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
35、光致产酸剂及其制备方法、化学放大型光致抗蚀剂及其制备方法
36、抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
37、抗蚀剂底层组合物及使用所述组合物形成图案的方法
38、非化学增幅型抗蚀剂组成物的制造方法、及图案形成方法
39、非化学增幅型抗蚀剂组成物的制造方法、及图案形成方法
40、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
41、有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物、和使用所述抗蚀剂组合物的图案形成方法
42、流平剂、抗蚀剂组合物和偏光板
43、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
44、鎓盐化合物、酸扩散抑制剂、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
45、抗蚀剂组成物及图案形成方法
46、鎓盐、光酸产生剂、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
47、显示器用黑色颜料分散组合物、显示器用黑色颜料分散抗蚀剂组合物、黑色抗蚀剂膜
48、抗蚀剂组成物及图案形成方法
49、抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案的制造方法
50、抗蚀剂组合物、光产酸剂的制备方法及图案形成方法
51、一种碱可溶性树脂及其制备方法、感光干膜抗蚀剂
52、正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜
53、半导体基板的制造方法及抗蚀剂底层膜形成用组合物
54、光固化树脂组合物及其应用、抗蚀剂膜和感光干膜
55、正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜
56、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
57、抗蚀剂组成物及图案形成方法
58、锍盐、酸扩散抑制剂、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
59、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
60、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
61、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
62、抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法
63、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
64、锍盐、酸扩散抑制剂、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
65、抗蚀剂组成物及图案形成方法
66、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
67、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
68、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案膜的制造方法、镀敷造形物的制造方法
69、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
70、抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
71、盐和包含其的光致抗蚀剂
72、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
73、锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
74、锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
75、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
76、抗蚀剂材料及图案形成方法
77、锍盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
78、镀敷造形物制造用感光性树脂组合物、抗蚀剂图案膜的制造方法、镀敷造形物的制造方法
79、抗蚀剂材料及图案形成方法
80、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
81、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
82、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
83、感光性组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷布线板的制造方法
84、酸扩散控制剂、抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法
85、化合物、聚合物、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
86、含氟树脂、抗蚀剂组合物及图案形成方法
87、抗蚀剂图案形成方法
88、抗蚀剂组成物及图案形成方法
89、一种含酯叔胺及其制备方法、化学放大抗蚀剂组合物及其应用
90、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
91、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
92、抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案的制造方法和镀敷造型物的制造方法
93、抗蚀剂组成物及图案形成方法
94、抗蚀剂底层组合物以及使用所述组合物形成图案的方法
95、抗蚀剂组成物及图案形成方法
96、含氟单体、含氟树脂、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
97、抗蚀剂下层膜形成用组合物
98、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
99、负型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案的制造方法
10-0、锍盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
10-1、用于压印眼科层压件的方法以及用于其的抗蚀剂组合物
10-2、用于形成膜密度提高了的抗蚀剂下层膜的组合物
10-3、抗蚀剂图案填充液以及使用其来制造抗蚀剂图案的方法
10-4、抗蚀剂底层组成物及使用组成物形成图案的方法
10-5、抗蚀剂下层膜形成用组合物
10-6、单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
10-7、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
10-8、能够湿式去除的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
10-9、树脂组合物、透明材料、透明膜、丝网印刷用版材、丝网印刷用模版及感光性抗蚀剂膜
11-0、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
11-1、一种负性抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法
11-2、聚合物的制造方法、化学增幅抗蚀剂组成物的制造方法、抗蚀剂图案形成方法、聚合物及化学增幅抗蚀剂组成物
11-3、抗蚀剂组成物及图案形成方法
11-4、厚膜化组合物、制造经厚膜化的抗蚀剂图案的方法、以及制造经加工基板的方法
11-5、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
11-6、硬罩幕与光致抗蚀剂中修饰开口以达到预期临界尺寸的方法
11-7、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
11-8、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
11-9、抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
12-0、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
12-1、一种光致抗蚀剂单体、其聚合物及光致抗蚀剂组合物
12-2、一种形成光致抗蚀剂图案的方法
12-3、抗蚀剂底层组合物和使用组合物形成图案的方法
12-4、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
12-5、共聚物及包含该共聚物的涂敷组合物或抗蚀剂组合物
12-6、抗蚀剂底层组合物及使用组合物形成图案的方法
12-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
12-8、包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
12-9、抗蚀剂下层膜形成用组合物
13-0、负型感光性树脂组合物、硬化膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜
13-1、抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
13-2、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
13-3、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
13-4、抗蚀剂组合物、干膜抗蚀剂、干膜抗蚀剂的制造方法、抗蚀剂图案的形成方法和镀敷造型物的制造方法
13-5、聚合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法
13-6、用于形成i射线光刻用含硅抗蚀剂下层膜的组合物
13-7、清洁组合物和使用清洁组合物形成光致抗蚀剂图案的方法
13-8、清洁组合物和使用清洁组合物形成光致抗蚀剂图案的方法
13-9、正型感光性树脂组合物、感光性膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜
14-0、清洁组合物和使用清洁组合物形成光致抗蚀剂图案的方法
14-1、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
14-2、用于形成膜密度提高了的抗蚀剂下层膜的组合物
14-3、抗蚀剂组成物及图案形成方法
14-4、正型感光性树脂组合物、感光性膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜
14-5、抗蚀剂组合物纯化品的制造方法、抗蚀剂图案形成方法及抗蚀剂组合物纯化品
14-6、一种肟酯类光引发剂、光致抗蚀剂组合物及其应用
14-7、抗蚀剂图案形成方法
14-8、抗蚀剂图案形成方法
14-9、抗蚀剂组成物及图案形成方法
15-0、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
15-1、抗蚀剂组成物及图案形成方法
15-2、抗蚀剂组成物及图案形成方法
15-3、抗蚀剂的干式显影
15-4、光致产酸剂、抗蚀剂组合物及图案形成方法
15-5、包含酸二酐的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
15-6、含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
15-7、一种正负反转光致抗蚀剂组合物及其应用
15-8、感光性树脂组合物、感光性元件、固化物、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
15-9、一种针对厚光阻抗蚀剂的剥除液及制备方法
16-0、显示器用黑色颜料分散组合物、显示器用黑色颜料分散抗蚀剂组合物、黑色抗蚀剂膜
16-1、图案形成方法及抗蚀剂材料
16-2、显示器用黑色颜料分散组合物、显示器用黑色颜料分散抗蚀剂组合物、黑色抗蚀剂膜
16-3、抗蚀剂下层膜形成用组合物
16-4、一种含氟树脂粉末、包含其的光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用
16-5、图案化基板预湿组合物、预湿组合物用于直接涂布在图案化基板上的用途、制造抗蚀剂图案的方法、制造经加工基板的方法以及制造器件的方法
16-6、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
16-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
16-8、一种组合物、抗蚀剂下层膜、半导体器件及其制备方法
16-9、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
17-0、抗蚀剂组合物及图案形成方法
17-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物
17-2、抗蚀剂组成物及图案形成方法
17-3、抗蚀剂组成物及图案形成方法
17-4、包括光致抗蚀剂下层的结构及其形成方法
17-5、抗蚀剂组成物、叠层体、及图案形成方法
17-6、具有碳-碳双键的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
17-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
17-8、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
17-9、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
18-0、促进粘附的光致抗蚀剂底层组合物
18-1、抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
18-2、多价铵盐化合物、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法
18-3、抗蚀剂顶涂组合物及使用该组合物的形成图案的方法
18-4、负型抗蚀剂图案形成方法
18-5、图案形成方法及抗蚀剂材料
18-6、负型抗蚀剂图案形成方法
18-7、感放射线性组合物、抗蚀剂图案形成方法、聚合物及化合物
18-8、EUV CAR抗蚀剂显影处理流程中的优先浸润
18-9、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
19-0、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
19-1、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
19-2、抗蚀剂下层膜形成用组合物
19-3、化合物、高分子化合物、抗蚀剂组合物以及形成抗蚀剂图案的方法
19-4、光学衍射体制造用抗蚀剂下层膜形成用组合物
19-5、锍盐型单体、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
19-6、干膜抗蚀剂用双轴取向聚酯膜
19-7、聚合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
19-8、锍盐化合物、抗蚀剂组合物及图案形成方法
19-9、厚膜化学增幅正型抗蚀剂组合物及使用其的制造抗蚀剂膜的方法
20-0、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、及鎓盐
20-1、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
20-2、用于降低环境负荷的抗蚀剂下层膜形成用组合物
20-3、有机化合物、聚合物和抗蚀剂组合物及形成抗蚀图案的方法
20-4、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案膜的制造方法、及镀敷造形物的制造方法
20-5、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
20-6、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
20-7、能够湿式去除的含硅抗蚀剂下层膜形成组合物
20-8、感光性元件的制造方法、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
20-9、新型硫鎓盐类光致产酸剂及其制备方法、化学放大型光致抗蚀剂及其制备方法
21-0、制造电子器件的水溶液、制造抗蚀剂图案的方法以及制造器件的方法
21-1、一种含并二噻吩侧基聚合物及其制备方法和抗蚀剂下层膜组合物及其应用
21-2、制造电子器件的水溶液、制造抗蚀剂图案的方法以及制造器件的方法
21-3、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
21-4、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
21-5、抗蚀剂组成物及图案形成方法
21-6、抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法
21-7、光致抗蚀剂清洗液组合物及利用其的光致抗蚀剂图案形成方法
21-8、一种含苯并呋喃侧基聚合物及其制备方法和抗蚀剂下层膜组合物及图案形成方法
21-9、含硅的锍盐化合物、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法
22-0、增强抗蚀剂图案化的效率
22-1、清洁组合物及使用其形成光致抗蚀剂图案的方法
22-2、一种抗蚀剂下层膜单体和抗蚀剂下层膜组合物以及图案形成方法
22-3、抗蚀剂、制备方法、组合物、涂胶层及图案形成的方法
22-4、光致抗蚀剂去除用组合物及光致抗蚀剂的去除方法
22-5、抗蚀剂下层膜形成用组合物
22-6、抗蚀剂材料及图案形成方法
22-7、抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案的制造方法和镀敷造型体的制造方法
22-8、抗蚀剂材料及图案形成方法
22-9、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
23-0、光致抗蚀剂组合物以及通过使用其制造集成电路器件的方法
23-1、溶剂类组合物、用于去除抗蚀剂的组合物、显影剂组合物以及形成图案的方法
23-2、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
23-3、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
23-4、感光性元件及抗蚀剂图案的形成方法
23-5、光致抗蚀剂去除用组合物及光致抗蚀剂的去除方法
23-6、光致抗蚀剂去除用组合物及光致抗蚀剂的去除方法
23-7、用于从含金属抗蚀剂去除边缘珠粒的组合物、显影剂组合物以及形成图案的方法
23-8、抗蚀剂下层膜形成用组合物
23-9、抗蚀剂顶涂层组合物以及使用所述组合物形成图案的方法
24-0、光致抗蚀剂组合物及图案化方法
24-1、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物及黑矩阵
24-2、管道结构、储料器、光致抗蚀剂瓶管理设施
24-3、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
24-4、具有姜黄素衍生物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
24-5、增强型EUV材料、光致抗蚀剂及其使用方法
24-6、厚膜化学增幅正型抗蚀剂组合物及使用其的制造抗蚀剂膜的方法
24-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
24-8、利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影
24-9、抗蚀剂组合物及其固化物
25-0、无规共聚物、包含该共聚物的涂覆组合物及抗蚀剂组合物
25-1、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
25-2、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
25-3、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
25-4、抗蚀剂材料及图案形成方法
25-5、抗蚀剂材料及图案形成方法
25-6、用于穿透抗蚀剂镀覆的边缘去除
25-7、螺吡喃化合物在制备高曝光容差性能的光致抗蚀剂中的应用
25-8、抗蚀剂材料及图案形成方法
25-9、抗蚀剂下层膜形成用组合物
26-0、感光性树脂组合物、抗蚀剂油墨、抗蚀剂层压体及其应用
26-1、抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
26-2、抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
26-3、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
26-4、抗蚀剂组合物、制造抗蚀剂膜的方法以及制造器件的方法
26-5、抗蚀剂材料及图案形成方法
26-6、抗蚀剂底层组合物和使用该组合物形成图案的方法
26-7、抗蚀剂材料及图案形成方法
26-8、一种丙烯酸基超支化光致抗蚀剂树脂的制备方法及应用
26-9、树脂组合物、硬化物、半导体元件及干膜抗蚀剂
27-0、树脂组合物、硬化物、半导体元件及干膜抗蚀剂
27-1、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
27-2、树脂组合物、硬化物、半导体元件及干膜抗蚀剂
27-3、干膜抗蚀剂用叠层聚酯膜
27-4、聚合物、包括其的抗蚀剂组合物及使用其形成图案的方法
27-5、抗蚀剂材料及图案形成方法
27-6、抗蚀剂材料及图案形成方法
27-7、抗蚀剂材料及图案形成方法
27-8、抗蚀剂材料及图案形成方法
27-9、抗蚀剂材料及图案形成方法
28-0、一种兼容性高精细抗蚀剂剥离液组合物
28-1、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
28-2、鎓盐类化合物，光致产酸剂、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
28-3、多嵌段共聚物、包含其的光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
28-4、UV吸收化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物
28-5、一种抗蚀剂下层膜形成用组合物及其制备方法和应用
28-6、耐显影液的抗蚀剂下层膜组合物及制造抗蚀剂图案的方法
28-7、含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
28-8、鎓盐类化合物，光致产酸剂、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
28-9、单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
29-0、用于光致抗蚀剂的反应性显影的循环式方法
29-1、有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用所述抗蚀剂组合物的图案形成方法
29-2、抗蚀剂材料及图案形成方法
29-3、抗蚀剂材料及图案形成方法
29-4、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
29-5、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
29-6、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
29-7、用于EUV图案化的金属氧化物抗蚀剂及其显影方法
29-8、光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法
29-9、含硅酮的共聚物、调平剂、涂敷组合物、抗蚀剂组合物、彩色滤光片及含硅酮的共聚物的制造方法
30-0、感光性树脂组合物及干膜，感光性干膜、抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
30-1、使用硅光致抗蚀剂的光刻方法
30-2、鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
30-3、抗蚀剂下层膜形成用组合物
30-4、干膜抗蚀剂支持体用双轴取向聚酯膜
30-5、抗蚀剂下层膜形成用组合物
30-6、正型感光性树脂组合物、感光性膜、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂永久膜及膜的制造方法
30-7、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
30-8、抗蚀剂下层膜形成用组合物
30-9、一种光致抗蚀剂组合物及其图案形成方法
31-0、包含多官能磺酸的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
31-1、肟磺酸酯类光产酸剂、抗蚀剂组合物、图形化方法及应用
31-2、抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
31-3、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
31-4、抗蚀剂图案的检查方法、抗蚀剂图案的制造方法、基板分选方法及半导体封装基板或印刷线路板的制造方法
31-5、抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
31-6、抗蚀剂图案的检查方法、抗蚀剂图案的制造方法、基板分选方法及半导体封装基板或印刷线路板的制造方法
31-7、一种光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用
31-8、含硅酮的共聚物、调平剂、涂敷组合物、抗蚀剂组合物、彩色滤光片及含硅酮的共聚物的制造方法
31-9、抗蚀剂底层组合物及使用组合物形成图案的方法
32-0、抗蚀剂底层组合物
32-1、用于极紫外光刻法的含硫醇光致抗蚀剂组合物
32-2、抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法
32-3、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
32-4、光致抗蚀剂剥离剂组合物和用于形成图案的方法
32-5、包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
32-6、抗蚀剂底层组合物及使用所述组合物形成图案的方法
32-7、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
32-8、抗蚀剂底层组合物及使用所述组合物形成图案的方法
32-9、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
33-0、抗蚀剂辅助膜组合物和使用了该组合物的图案形成方法
33-1、抗蚀剂材料及图案形成方法
33-2、抗蚀剂材料及图案形成方法
33-3、用于从含金属的抗蚀剂移除边缘珠粒的组合物、显影剂组合物以及形成图案的方法
33-4、抗蚀剂组合物和使用其的抗蚀剂膜形成方法
33-5、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及半导体封装基板或印刷线路板的制造方法
33-6、单体、聚合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
33-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
33-8、抗蚀剂材料及图案形成方法
33-9、药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法、半导体芯片的制造方法
34-0、药液、药液容纳体、抗蚀剂图案形成方法、半导体芯片的制造方法
34-1、光产酸剂、抗蚀剂组合物及其应用
34-2、抗蚀剂组合物及图案形成方法
34-3、锍鎓盐化合物、光酸产生剂、抗蚀剂组合物
34-4、光学光刻用涂布材料、抗蚀剂材料及图案形成方法
34-5、一种光产酸剂、包含其的光致抗蚀剂组合物
34-6、光致抗蚀剂底层材料及相关方法
34-7、锍化合物、正型抗蚀剂组合物和图案形成方法
34-8、光致抗蚀剂组合物和金属化方法
34-9、用于降低环境负荷的抗蚀剂下层膜形成用组合物
35-0、抗蚀剂材料及图案形成方法
35-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物
35-2、通过模拟光致抗蚀剂厚度演变来修补光刻掩模
35-3、鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
35-4、抗蚀剂下层膜形成方法和图案形成方法
35-5、抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法
35-6、可显影的抗蚀剂上层膜组合物以及制造抗蚀剂上层膜图案及抗蚀剂图案的方法
35-7、缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
35-8、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
35-9、聚合物、包括其的抗蚀剂组合物和通过使用抗蚀剂组合物形成图案的方法
36-0、基板被覆抗蚀剂组合物和制造抗蚀剂图案的方法
36-1、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
36-2、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
36-3、一种感光性抗蚀剂油墨及金属栅线的制备方法
36-4、感放射线性组合物、抗蚀剂图案形成方法及感放射线性酸产生剂
36-5、用于光致抗蚀剂浮渣去除的基于水的预处理
36-6、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
36-7、新型化学增幅正性光致抗蚀剂组合物及其制备
36-8、新型基于聚合物的光致抗蚀剂及其制备
36-9、抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
37-0、改善光致抗蚀剂残留的半导体制作工艺
37-1、新型化学增幅负性光致抗蚀剂组合物及其制备
37-2、两性离子化合物和包括其的光致抗蚀剂
37-3、图案的检查方法、抗蚀剂图案的制造方法、对象基板的分选方法及对象基板的制造方法
37-4、单体、聚合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及图案形成方法
37-5、抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法
37-6、制造配线基板的方法、评价抗蚀剂层或配线基板的方法及配线基板
37-7、干式显影无金属光致抗蚀剂
37-8、一种树脂、光致抗蚀剂树脂组合物
37-9、化合物、单体、聚合物、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
38-0、利用多个光致抗蚀剂层的光子芯片图案化
38-1、光固化树脂组合物、其应用及感光干膜抗蚀剂层叠体
38-2、包括硅锗氧化物光致抗蚀剂底层的结构及其形成方法
38-3、抗蚀剂面层组合物以及使用所述组合物来形成图案的方法
38-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
38-5、正性抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法
38-6、抗蚀剂下层膜形成用组合物
38-7、自交联性聚合物及抗蚀剂下层膜形成用组合物
38-8、抗蚀剂组成物及图案形成方法
38-9、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
39-0、具有高折射率抗蚀剂的表面浮雕波导
39-1、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
39-2、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
39-3、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
39-4、光致抗蚀剂的涂布制作工艺
39-5、具有芴骨架的抗蚀剂下层膜形成用组合物
39-6、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
39-7、干膜抗蚀剂、感光干膜和覆铜板
39-8、包括光致抗蚀剂粘合层的结构及其形成方法
39-9、光酸产生化合物和相关聚合物、光致抗蚀剂组合物以及形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法
40-0、化学增幅负型抗蚀剂组合物和图案形成方法
40-1、单体、抗蚀剂材料、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
40-2、各向异性抗蚀剂图案化
40-3、离子注入厚膜抗蚀剂组合物、使用其的制造经加工基板的方法、及使用其的制造器件的方法
40-4、抗蚀剂材料、抗蚀剂组成物、图案形成方法、及单体
40-5、抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法
40-6、抗蚀剂材料、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
40-7、分子抗蚀剂组成物及图案形成方法
40-8、鎓盐、抗蚀剂组合物和图案形成方法
40-9、抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法
41-0、光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法
41-1、喷涂光致抗蚀剂和光可成像电介质以为玻璃芯封装实现TSV桥
41-2、抗蚀剂下层膜形成用组合物
41-3、一种水溶性丙烯酸光致抗蚀剂
41-4、抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
41-5、光敏树脂和包含其的光致抗蚀剂组合物
41-6、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
41-7、化学增幅正型抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
41-8、鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
41-9、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
42-0、化合物、该化合物的制造方法、流平剂、涂覆组合物、抗蚀剂组合物及物品
42-1、化学增幅负型抗蚀剂组合物和抗蚀图案形成方法
42-2、抗蚀剂组合物
42-3、有机盐、包括其的光致抗蚀剂组合物和通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法
42-4、抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法
42-5、正型剥离抗蚀剂组合物及使用其来制造抗蚀剂图案的方法
42-6、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
42-7、缩醛修饰剂、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
42-8、感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜及抗蚀剂永久膜
42-9、抗蚀剂下层膜形成方法、及图案形成方法
43-0、具有不饱和键和环式结构的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
43-1、抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法
43-2、鎓盐类化合物、光致产酸剂、包含其的光致抗蚀剂组合物
43-3、包括光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物和制造集成电路器件的方法
43-4、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法
43-5、包含封端聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
43-6、纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物
43-7、导电性组合物、抗蚀剂被覆材料、抗蚀剂及抗蚀剂图案的形成方法
43-8、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
43-9、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法
44-0、一种感光树脂组合物、干膜抗蚀剂层叠体及其应用
44-1、改性碱溶性粘结剂树脂及其制备方法与干膜抗蚀剂
44-2、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
44-3、含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物及含硅抗蚀剂下层膜
44-4、鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
44-5、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法、抗蚀剂下层膜图案的形成方法及图案形成方法
44-6、含有机硅链聚合物、含有机硅链聚合物的制造方法、涂覆组合物、抗蚀剂组合物及物品
44-7、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
44-8、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案膜的制造方法及镀敷造形物的制造方法
44-9、锍盐、抗蚀剂材料及图案形成方法
45-0、盐化合物、含该盐化合物的酸扩散抑制剂以及光致抗蚀剂组成物
45-1、感光干膜抗蚀剂、感光干膜及应用
45-2、抗蚀剂图案的制造方法、层叠体的制造方法及直接成像曝光用感光性转印材料
45-3、碱可溶性树脂、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
45-4、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
45-5、用于金属光致抗蚀剂的剂量减少底部抗反射涂料
45-6、半导体基板的制造方法、抗蚀剂底层膜的形成方法及清洗液
45-7、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
45-8、感光性元件及抗蚀剂图案的形成方法
45-9、干膜抗蚀剂及其制备方法与应用
46-0、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
46-1、新颖光酸产生剂、光致抗蚀剂组合物及光致抗蚀剂图案形成方法
46-2、鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
46-3、基于酚醛清漆/DNQ的化学增幅型光致抗蚀剂
46-4、具有糖精骨架的抗蚀剂下层膜形成用组合物
46-5、一种干膜抗蚀剂的制备方法
46-6、包含含有多环芳香族的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
46-7、聚酯膜的制造方法、聚酯膜、干膜抗蚀剂及剥离膜
46-8、抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法
46-9、一种化学放大型光致抗蚀剂及其制备方法和应用
47-0、包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
47-1、聚合物、包含其的光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
47-2、正型超厚光致抗蚀剂组合物
47-3、树脂、固化性树脂组合物、固化物、阻焊剂用树脂材料、绝缘材料及抗蚀剂构件
47-4、抗蚀剂组合物和通过使用其形成图案的方法
47-5、抗蚀剂组成物及图案形成方法
47-6、抗蚀剂组合物和通过使用其形成图案的方法
47-7、聚合物、包含其的光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
47-8、抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
47-9、有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
48-0、含有烷氧基的抗蚀剂下层膜形成用组合物
48-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物
48-2、含有丙烯酰胺基的抗蚀剂下层膜形成用组合物
48-3、印刷电路板的制造方法及抗蚀剂的剥离方法、以及用于这些方法的抗蚀剂剥离前处理液
48-4、抗蚀剂混合物
48-5、含添加剂含硅抗蚀剂下层膜形成组合物
48-6、干燥后蚀刻光致抗蚀剂和含金属残留物去除制剂
48-7、用于阻止蚀刻停止的金属氧化物基光致抗蚀剂的循环显影
48-8、灰色调抗蚀剂及加工
48-9、聚合物及抗蚀剂用树脂组合物
49-0、一种用于喷墨打印技术的可褪洗型抗蚀剂
49-1、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
49-2、感光性抗蚀剂组合物和干膜抗蚀剂
49-3、抗蚀剂组成物及图案形成方法
49-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
49-5、光致抗蚀剂底层组合物
49-6、聚合物、感光性树脂组合物、感光性元件、形成抗蚀剂图案的方法以及形成布线图案的方法
49-7、聚合物、包含其的光致抗蚀剂组合物以及图案形成方法
49-8、胺化合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
49-9、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂图案的制造方法
50-0、含金属光致抗蚀剂的再加工
50-1、包含具有含脲键的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
50-2、锍盐、抗蚀剂材料及图案形成方法
50-3、一种黑色矩阵用炭黑分散体、包含其的抗蚀剂组合物及其应用
50-4、树脂、活性能量射线固化型组合物、活性能量射线固化型墨液、外涂清漆、涂料、粘接剂、光致抗蚀剂、和印刷物的制造方法
50-5、抗蚀剂下层膜形成用组合物
50-6、光酸生成化合物和相关聚合物，光致抗蚀剂组合物，和形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法
50-7、含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该组合物的叠层体及半导体元件的制造方法
50-8、具有光致产酸剂和光致抗蚀剂的聚合物组合物
50-9、感光树脂组合物及干膜抗蚀剂
51-0、包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
51-1、用于形成高密度接触的抗蚀剂内工艺
51-2、EUV抗蚀剂的混合显影
51-3、鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
51-4、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
51-5、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
51-6、一种含硅表面改性剂和抗蚀剂下层膜组合物及其制备方法和应用
51-7、鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
51-8、抗蚀剂结构的状态转变温度
51-9、抗蚀剂下层膜形成用组合物
52-0、感光性元件、层叠体及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法和印刷配线板的制造方法
52-1、一种化学放大型光致抗蚀剂及其制备方法
52-2、抗蚀剂剥离液组合物及使用该组合物的图案形成方法
52-3、从含金属抗蚀剂中去除边珠用的组成物及形成图案的方法
52-4、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案膜的制造方法及镀敷造形物的制造方法
52-5、用于极紫外光刻应用的混合光致抗蚀剂组合物
52-6、抗蚀剂辅助膜组合物和使用该组合物的图案形成方法
52-7、聚合物、化学增幅正型抗蚀剂组成物、抗蚀剂图案形成方法、及空白掩膜
52-8、鎓盐型单体、聚合物、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
52-9、用于改善含金属抗蚀剂的干式显影性能的多步骤暴露后处理
53-0、光致抗蚀剂底层组合物
53-1、含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物和含有硅的抗蚀剂下层膜
53-2、含金属的膜形成用化合物和组成物、图案形成方法及半导体光致抗蚀剂材料
53-3、增强型EUV光致抗蚀剂及其使用方法
53-4、抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法
53-5、聚合物、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
53-6、电子器件制造用水溶液、制造抗蚀剂图案的方法及制造器件的方法
53-7、负型感光性树脂组合物和干膜抗蚀剂
53-8、磺酸酯类光产酸剂及其制备方法、图形化方法、抗蚀剂组合物及其应用
53-9、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
54-0、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
54-1、羧酸盐、包括其的光致抗蚀剂组合物、和通过使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法
54-2、抗蚀剂底层膜形成用组合物、半导体基板的制造方法及抗蚀剂底层膜的形成方法
54-3、抗蚀剂组合物及其应用
54-4、抗蚀剂组合物及图案形成方法
54-5、光致抗蚀剂涂布方法
54-6、光致抗蚀剂方法
54-7、光致抗蚀剂组合物和光致抗蚀剂图案的制造方法
54-8、从含金属抗蚀剂中去除边珠用的组合物及形成图案的方法
54-9、图案形成方法、电子器件的制造方法、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜
55-0、用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的组合物以及包括使用所述组合物去除边珠的步骤的形成图案的方法
55-1、抗蚀剂底层组合物和使用组合物形成图案的方法
55-2、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
55-3、抗蚀剂底层组合物和使用组合物形成图案的方法
55-4、用于从含金属抗蚀剂中去除边珠的组合物以及包括使用所述组合物去除边珠的步骤的形成图案的方法
55-5、鎓盐、酸扩散控制剂、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
55-6、一种感光性树脂组合物、感光抗蚀剂层叠体及其应用
55-7、鎓盐、化学增幅抗蚀剂组成物、及图案形成方法
55-8、包含酰胺溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
55-9、抗蚀剂组成物及图案形成方法
56-0、实现牺牲抗蚀剂减薄材料的无缺陷穿玻璃过孔金属化
56-1、实现牺牲抗蚀剂减薄材料的无缺陷穿玻璃过孔金属化
56-2、表面修饰炭黑、炭黑分散体和黑色抗蚀剂组合物
56-3、使用含有有机酸化合物的组合物的方法、含有有机酸化合物的光刻组合物以及制造抗蚀剂图案的方法
56-4、用于从衬底上去除光致抗蚀剂的组合物及其用途
56-5、用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物
56-6、干湿双层抗蚀剂
56-7、含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
56-8、聚合物、包括其的光致抗蚀剂组合物、和使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法
56-9、在抗蚀剂应用中作为光致产酸剂的含氧噻鎓离子的磺酸衍生物化合物
57-0、光酸产生剂、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
57-1、光活性化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
57-2、含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
57-3、鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
57-4、含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
57-5、厚膜抗蚀剂组合物以及使用其的制造抗蚀剂膜的方法
57-6、干膜抗蚀剂层叠体和干膜抗蚀剂组合物
57-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
57-8、用于低曝光剂量EUV辐射的高量子效率干式抗蚀剂
57-9、聚合性单体、高分子化合物、抗蚀剂组成物及图案形成方法
58-0、含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
58-1、鎓盐、抗蚀剂组成物、及图案形成方法
58-2、含硅酮链的聚合物、涂敷组合物、抗蚀剂组合物及物品
58-3、黑色抗蚀剂组合物和利用近红外线光刻法的黑色图案的形成方法
58-4、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂和固化物
58-5、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
58-6、抗蚀剂图案形成方法
58-7、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
58-8、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
58-9、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
59-0、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
59-1、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法及化合物
59-2、来自含金属光致抗蚀剂的金属污染物的控制
59-3、感光性树脂膜、抗蚀剂图案的形成方法及配线图案的形成方法
59-4、化合物和包含其的光致抗蚀剂组合物
59-5、新颖锍盐型聚合性单体、高分子光酸产生剂、基础树脂、抗蚀剂组成物及图案形成方法
59-6、用于光刻的抗蚀剂化合物和垫层化合物以及多层结构
59-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
59-8、含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
59-9、新颖锍盐、抗蚀剂组成物及图案形成方法
60-0、抗蚀剂组成物及图案形成方法
60-1、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
60-2、具有被保护了的碱性的有机基的抗蚀剂下层膜形成用组合物
60-3、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
60-4、空白掩膜、抗蚀剂图案形成方法及化学增幅正型抗蚀剂组成物
60-5、抗蚀剂用聚合物的评价方法
60-6、包含酸催化剂负载型聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
60-7、感光性树脂组合物、抗蚀剂材料及应用
60-8、抗蚀剂下层膜形成用组合物
60-9、含萘单元的抗蚀剂下层膜形成用组合物
61-0、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
61-1、一种抗蚀剂用酚醛树脂及其制备方法
61-2、抗蚀剂材料及图案形成方法
61-3、抗蚀剂膜厚膜化组合物和制造厚膜化图案的方法
61-4、一种改善抗蚀剂层光刻形貌的方法
61-5、一种土壤抗蚀剂及其制备方法和应用
61-6、缩醛化合物、包含该化合物的添加剂、及包含该化合物的抗蚀剂用组合物
61-7、光活性化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
61-8、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
61-9、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
62-0、具有亚苄基氰基乙酸酯基的抗蚀剂下层膜形成用组合物
62-1、含卤素及脂肪族的有机锡光致抗蚀剂及其方法
62-2、光致抗蚀剂面涂层组合物和处理光致抗蚀剂组合物的方法
62-3、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
62-4、一种丙烯酸树脂及其在干膜抗蚀剂用聚酯薄膜中的应用
62-5、抗蚀剂组成物及图案形成方法
62-6、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、正型图案形成方法、电子器件的制造方法
62-7、用于极紫外（EUV）抗蚀剂图案化显影的方法
62-8、抗蚀剂材料及图案形成方法
62-9、抗蚀剂材料及图案形成方法
63-0、抗蚀剂材料及图案形成方法
63-1、抗蚀剂材料及图案形成方法
63-2、包含具有脂环式烃基的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
63-3、抗蚀剂材料及图案形成方法
63-4、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物及黑矩阵
63-5、抗蚀剂材料及图案形成方法
63-6、感光性树脂组合物、粘合剂聚合物、单体、元件、抗蚀剂图形制造方法和印刷线路制造方法
63-7、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
63-8、包含酸二酐的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
63-9、形成包含光致抗蚀剂底层的结构的方法
64-0、聚合物、组合物、聚合物的制造方法、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、光学构件形成用组合物
64-1、感光性树脂组合物、环状硅氧烷化合物、元件、抗蚀剂图形的和印刷线路制造方法
64-2、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
64-3、具有改良图案轮廓及焦深(DOF)的正型光致抗蚀剂组合物
64-4、感光性树脂组合物、笼状聚倍半硅氧烷化合物、元件、抗蚀剂图形和印刷线路制造方法
64-5、聚合性化合物、活性能量射线固化性树脂组合物、固化物、抗蚀剂用组合物和抗蚀膜
64-6、抗蚀剂下层膜形成用组合物
64-7、制造厚膜化的抗蚀剂图案的方法、厚膜化溶液、以及制造经加工基板的方法
64-8、感光性干膜、层叠薄膜、层叠薄膜的制造方法及图案化的抗蚀剂膜的制造方法
64-9、用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺
65-0、化合物、流平剂、涂布组合物、抗蚀剂组合物和物品
65-1、将单一液体光致抗蚀剂材料施加到半导体晶片的半导体器件和方法
65-2、聚酯膜、干膜抗蚀剂、聚酯膜的制造方法
65-3、活性能量射线固化性树脂组合物、固化物、绝缘材料和抗蚀剂构件
65-4、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
65-5、抗蚀剂材料及图案形成方法
65-6、抗蚀剂材料及图案形成方法
65-7、光致抗蚀剂移除剂组合物
65-8、抗蚀剂下层膜形成用组合物
65-9、含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
66-0、聚合物、抗蚀剂组成物及图案形成方法
66-1、多环多酚树脂、组合物、多环多酚树脂的制造方法、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、及光学构件形成用组合物
66-2、抗蚀剂材料及图案形成方法
66-3、抗蚀剂材料及图案形成方法
66-4、抗蚀剂材料及图案形成方法
66-5、组合的光抗蚀剂和Si基硬掩模的涂层
66-6、用于光致抗蚀剂的光刻工艺和极紫外（EUV）光刻工艺
66-7、盐化合物、抗蚀剂组成物及图案形成方法
66-8、新型化合物、抗蚀剂下层膜组合物以及抗蚀剂下层膜
66-9、一种光致抗蚀剂剥离液及其制备方法与应用
67-0、抗蚀剂下层膜形成用组合物
67-1、基于C-N动态共价键的纳米压印抗蚀剂及其制备方法和应用
67-2、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
67-3、光致抗蚀剂面漆组合物及图案形成方法
67-4、光致抗蚀剂底层组合物
67-5、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
67-6、酰亚胺磺酸酯类光产酸剂、抗蚀剂组合物及其应用、电子组件
67-7、感光性树脂组合物、干膜抗蚀剂、感光干膜及其应用
67-8、光致抗蚀剂底层组合物
67-9、包含已封端的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
68-0、包含具有氟烷基的有机酸或其盐的抗蚀剂下层膜形成用组合物
68-1、包含3官能化合物的反应生成物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
68-2、含酚性羟基树脂、碱显影性抗蚀剂用树脂组合物、和抗蚀剂固化性树脂组合物、以及含酚性羟基树脂的制造方法
68-3、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
68-4、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
68-5、利用有机共反应物的干式沉积光致抗蚀剂
68-6、用于改善中心-边缘之间的台阶差和LER的I-线用负性光致抗蚀剂组合物、及用于改善工艺余裕的I-线用负性光致抗蚀剂组合物
68-7、聚合物、组合物、聚合物的制造方法、组合物、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射敏感组合物、光刻用下层膜形成用组合物、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜的制造方法、电路图案形成方法、及光学构件形成用组合物
68-8、EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
68-9、感光性树脂组合物、永久抗蚀剂、永久抗蚀剂的形成方法、及永久抗蚀剂用固化膜的检查方法
69-0、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
69-1、来自Sn(II)前体的光致抗蚀剂
69-2、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
69-3、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
69-4、光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物及使用光酸产生剂形成图案的方法
69-5、用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法
69-6、包含乙内酰脲化合物的反应产物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
69-7、化学增幅抗蚀剂组成物及图案形成方法
69-8、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
69-9、正型抗蚀剂材料及图案形成方法
70-0、含钽光致抗蚀剂
70-1、用于含金属光致抗蚀剂的显影的金属螯合剂
70-2、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法
70-3、包含羧酸酯的组合物的使用方法、包含羧酸酯的光刻组合物及抗蚀剂图案的制造方法
70-4、感光树脂组合物及干膜抗蚀剂层压体
70-5、树脂填充袋、保护膜的制造方法和干膜抗蚀剂的制造方法
70-6、分子抗蚀剂组成物及图案形成方法
70-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
70-8、抗蚀剂下层膜形成用组合物
70-9、Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用
71-0、Krf薄膜光刻用负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法和应用
71-1、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜
71-2、化学放大型抗蚀剂组合物及使用该组合物的抗蚀剂膜的制造方法
71-3、使用二芳基甲烷衍生物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
71-4、感光性树脂组合物和干膜抗蚀剂
71-5、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
71-6、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
71-7、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
71-8、含碘的酸可裂解化合物、由其衍生的聚合物和光致抗蚀剂组合物
71-9、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
72-0、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
72-1、EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
72-2、光致抗蚀剂底层组合物
72-3、负型抗蚀剂膜层叠体及图案形成方法
72-4、光致抗蚀剂的干式背侧和斜面边缘清洁
72-5、硬化型感光性树脂组合物、硬化物、抗蚀剂图案及其制造方法、半导体元件及电子器件
72-6、制造印刷电路板的方法和抗蚀剂层叠件
72-7、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
72-8、PNIPAM在制备具有对水和温度响应性的高分辨率电子束抗蚀剂中的应用
72-9、极紫外光刻用正型抗蚀剂组合物和极紫外光刻用抗蚀剂图案形成套件
73-0、包含酰胺化合物的光致抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
73-1、一种用于制备正型抗蚀剂的化合物及其制备方法
73-2、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
73-3、一种石墨抗蚀剂及其制备方法和应用
73-4、除去光致抗蚀剂图案化浮渣的原子层清洁
73-5、药液的检查方法、半导体器件的制造方法以及抗蚀剂组合物的检查方法
73-6、酰亚胺磺酸酯光酸、抗蚀剂组合物、电子器件及应用
73-7、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜、电子器件的制造方法、化合物、化合物的制造方法
73-8、KrF树脂及其制备方法和化学放大型光致抗蚀剂
73-9、用于含金属光致抗蚀剂沉积的表面改性
74-0、包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
74-1、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
74-2、半导体光致抗蚀剂组成物及使用其形成图案的方法
74-3、肟磺酸酯类光产酸剂及其抗蚀剂组合物应用
74-4、高产酸肟磺酸酯类光产酸剂及其抗蚀剂组合物应用
74-5、肟磺酸酯光酸、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
74-6、从含金属抗蚀剂去除边缘珠的组合物及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法
74-7、含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法
74-8、用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具
74-9、外涂覆的光致抗蚀剂的经涂覆的底层
75-0、抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜
75-1、抗蚀剂膜的形成方法
75-2、无DNQ的化学增幅抗蚀剂组合物
75-3、抗蚀剂下层膜形成用组合物
75-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
75-5、用于光致抗蚀剂底层的组合物
75-6、提高含金属EUV抗蚀剂干式显影性能的涂敷/暴露后处理
75-7、抑制了交联剂的改性的抗蚀剂下层膜形成用组合物
75-8、肟磺酸酯化合物、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
75-9、肟磺酸酯光产酸剂、含其的抗蚀剂组合物、电子器件及应用
76-0、抗蚀剂组合物
76-1、用于增强EUV光刻性能的暴露前光致抗蚀剂固化
76-2、半导体器件和使用N2吹扫利用高粘性液体光致抗蚀剂涂覆半导体晶片的方法
76-3、化学增幅型抗蚀剂组成物、空白光掩膜、抗蚀剂图案的形成方法及高分子化合物的制造方法
76-4、负型抗蚀剂组合物
76-5、黑色抗蚀剂用感光性树脂组合物、硬化膜及其制造方法、彩色滤光片及隔离壁
76-6、带有抗蚀剂固化膜的陶瓷电路基板及其制造方法以及陶瓷电路基板的制造方法
76-7、在光致抗蚀剂底层上形成粘合层的方法及包括其的结构
76-8、用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法
76-9、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法
77-0、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
77-1、一种感光树脂组合物及感光干膜抗蚀剂层压体
77-2、抗蚀剂组合物和抗蚀剂组合物的使用方法
77-3、用于干法去除光致抗蚀剂的处理工具
77-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
77-5、抗蚀剂化合物、使用其形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法
77-6、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
77-7、盐和包含其的光致抗蚀剂
77-8、碱溶性树脂、感光性树脂组合物、感光元件、抗蚀剂图案的形成方法及布线图案的形成方法
77-9、抗蚀剂图案形成方法
78-0、针对厚光阻1201
78-1、一种离子型土壤抗蚀剂及其制备方法与应用
78-2、与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
78-3、EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
78-4、光敏树脂组合物和使用该光敏树脂组合物的干膜光致抗蚀剂、光敏元件、电路板和显示器件
78-5、一种抗蚀剂组合物及其层压体
78-6、EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
78-7、用于金属特征的无光致抗蚀剂形成的电流体动力喷射打印和电镀
78-8、用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
78-9、含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
79-0、正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
79-1、用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺
79-2、树脂、抗蚀剂组合物和抗蚀图案的制造方法
79-3、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
79-4、正型感光性组合物及干膜，图案化的抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
79-5、正型感光性组合物及干膜，图案化的抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
79-6、感光性高分子及包含它的抗蚀剂组合物
79-7、导电性组合物、抗蚀剂被覆材料、抗蚀剂及抗蚀剂图案的形成方法
79-8、化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
79-9、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
80-0、光敏组合物及制造的光致抗蚀剂干膜
80-1、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
80-2、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
80-3、化学放大型感光性组合物、感光性干膜及其制造方法、抗蚀剂膜的制造方法及酸扩散抑制剂
80-4、锍盐、光酸产生剂、固化性组合物和抗蚀剂组合物
80-5、感光性树脂组合物、干膜及其制造方法、抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
80-6、一种感光树脂组合物及干膜抗蚀剂层压体
80-7、光敏树脂层和使用其的干膜光致抗蚀剂、光敏元件
80-8、感光干膜抗蚀剂层压体和线路板
80-9、抗蚀剂组合物
81-0、纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物
81-1、抗蚀剂分配的方法
81-2、漂洗组合物和用其处理光致抗蚀剂材料表面的方法
81-3、光敏树脂层和使用该光敏树脂层的干膜光致抗蚀剂、光敏元件
81-4、厚光致抗蚀剂层计量目标
81-5、干膜抗蚀剂和感光干膜
81-6、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物
81-7、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
81-8、化学增幅型光致抗蚀剂
81-9、用于穿透抗蚀剂镀覆的边缘去除
82-0、利用用于高性能EUV光致抗蚀剂的高EUV吸收剂的衬底表面改性
82-1、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
82-2、感光性树脂组合物及干膜，干膜、图案化的抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
82-3、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
82-4、光酸产生剂、光致抗蚀剂组合物、及图案形成方法
82-5、光致抗蚀剂面漆组合物及图案形成方法
82-6、醇化合物、化学增幅负型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
82-7、无PAG的正型化学增幅抗蚀剂组合物及使用其的方法
82-8、一种干膜抗蚀剂、感光干膜和覆铜板
82-9、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物
83-0、促进粘附的光致抗蚀剂底层组合物
83-1、光致抗蚀剂组合物及使用其制造半导体器件的方法
83-2、光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法
83-3、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
83-4、光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法
83-5、感光性组合物的制造方法及制备用预混液、感光性组合物、干膜及抗蚀剂膜的制造方法
83-6、含金属抗蚀剂用稀释剂组合物
83-7、光致抗蚀剂膜的干式室清洁
83-8、含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法
83-9、感光性树脂膜、抗蚀剂图案的形成方法及配线图案的形成方法
84-0、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
84-1、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
84-2、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
84-3、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
84-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
84-5、负型感光性树脂组合物、感光性抗蚀剂薄膜、图案形成方法、固化膜及制造方法及辊体
84-6、光致抗蚀剂去除剂
84-7、抗蚀剂下层膜形成用组合物
84-8、光致抗蚀剂图案修整组合物和修整光致抗蚀剂图案的方法
84-9、于抗蚀剂应用中作为光酸生成剂的磺酸衍生化合物
85-0、具有双层抗蚀剂的电子束光刻
85-1、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
85-2、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
85-3、包含杂环化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
85-4、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、化合物、树脂
85-5、一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用
85-6、光致抗蚀剂剥离组合物
85-7、组合物、抗蚀剂底层膜、抗蚀剂底层膜的形成方法、经图案化的基板的制造方法及化合物
85-8、用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理
85-9、一种低动态表面张力的高精细抗蚀剂剥离液组合物及其制备方法
86-0、具有多个图案化辐射吸收元素和/或竖直组成梯度的光致抗蚀剂
86-1、感光化射线性或放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法
86-2、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
86-3、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
86-4、用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物
86-5、树脂组合物，干膜，干膜、抗蚀剂膜、化合物、产酸剂及N-有机磺酰氧基化合物的制造方法
86-6、光致抗蚀剂去除用组合物
86-7、单体、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂组合物以及图案形成方法
86-8、一种光致抗蚀剂的剥离液组合物
86-9、抗蚀剂下层膜形成用组合物
87-0、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
87-1、一种干膜抗蚀剂层压体、树脂组合物及其制备方法
87-2、干膜抗蚀剂及其制备方法
87-3、吲哚嗪类抗蚀剂的制备方法
87-4、一种三层干膜抗蚀剂用聚酯薄膜及其制备方法
87-5、一种五层干膜抗蚀剂用聚酯薄膜及其制备方法
87-6、光致抗蚀剂去除剂组合物
87-7、聚合物及其制造方法以及抗蚀剂用树脂组合物
87-8、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
87-9、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、光致抗蚀剂用树脂组合物以及图案形成方法
88-0、增强含金属抗蚀剂的光刻性能的烘烤策略
88-1、利用卤化物化学品的光致抗蚀剂显影
88-2、抗蚀剂组合物纯化品的制造方法、抗蚀剂图案形成方法、及抗蚀剂组合物纯化品
88-3、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法
88-4、包含具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物
88-5、包含二氰基苯乙烯基的能够湿蚀刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物
88-6、EUV图案化抗蚀剂形成方法
88-7、用于半导体制造的光致抗蚀剂
88-8、光致抗蚀剂组合物及图案形成方法
88-9、用于半导体制造的光致抗蚀剂
89-0、感光树脂组合物及干膜抗蚀剂层压体
89-1、抗蚀剂下层膜形成用组合物
89-2、包含碱溶性树脂和光产酸剂的负型剥离抗蚀剂组合物以及在基板上制造金属膜图案的方法
89-3、一种改性聚酯的制备方法及其在干膜抗蚀剂用聚酯薄膜中的应用
89-4、感光树脂组合物、感光干膜抗蚀剂和PCB板的制作方法
89-5、抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
89-6、包含脂环式化合物末端的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
89-7、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
89-8、用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理
89-9、抗蚀剂剥离液组合物
90-0、抗蚀剂图案金属化工艺用组合物
90-1、移除抗蚀剂层的方法及制造半导体结构的方法
90-2、一种具有高解析度和优异附着力的光致抗蚀剂
90-3、正型感光性树脂组合物、经图案化的抗蚀剂膜的形成方法及经图案化的抗蚀剂膜
90-4、光致抗蚀剂组合物及其固化物
90-5、厚膜抗蚀剂组合物和使用该厚膜抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜的制造方法
90-6、正型抗蚀剂组合物和使用该正型抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的制造方法
90-7、抗蚀剂剥离液
90-8、抗蚀剂剥离液
90-9、抗蚀剂剥离液
91-0、聚合物、抗蚀剂组合物、形成有图案的基板的制造方法、以及(甲基)丙烯酸酯及其制造方法
91-1、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
91-2、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
91-3、黑矩阵用颜料分散组合物、黑矩阵用抗蚀剂组合物以及黑矩阵
91-4、抗蚀剂下层膜形成用组合物
91-5、抗蚀剂下层膜形成用组合物
91-6、药液、冲洗液、抗蚀剂图案形成方法
91-7、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案膜的制造方法、及镀敷造形物的制造方法
91-8、一种含水性感光树脂及其光致抗蚀剂干膜
91-9、药液、抗蚀剂图案的形成方法、半导体芯片的制造方法、药液收容体及药液的制造方法
92-0、感光性树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法、以及镀覆造形物的制造方法
92-1、感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷线路板的制造方法
92-2、光致抗蚀剂组合物
92-3、抗蚀剂底层组成物及使用所述组成物形成图案的方法
92-4、包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物
92-5、电子束抗蚀剂组合物
92-6、下层膜形成用材料、抗蚀剂下层膜及层叠体
92-7、光致抗蚀剂层脱气防止
92-8、光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
92-9、感光树脂组合物及干膜抗蚀剂
93-0、干膜抗蚀剂组合物及干膜抗蚀剂层压体
93-1、光致抗蚀剂显影剂和制造半导体器件的方法
93-2、膜形成用组合物、抗蚀剂组合物、辐射线敏感性组合物、非晶膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法和电路图案形成方法
93-3、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案的制造方法以及镀敷造型物的制造方法
93-4、锍盐、光产酸剂、固化性组合物和抗蚀剂组合物
93-5、厚膜抗蚀剂膜形成用抗蚀剂组合物、厚膜抗蚀剂层叠体以及抗蚀剂图案形成方法
93-6、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
93-7、感光性树脂组合物及干膜，感光性干膜、抗蚀剂膜、带铸模基板及镀覆造型物的制造方法
93-8、光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
93-9、用于形成抗蚀剂图案的树脂组合物和半导体制品的制造方法
94-0、抗蚀剂组合物
94-1、抗蚀剂组合物
94-2、抗蚀剂组合物
94-3、抗蚀剂的干式显影
94-4、耐氢氟酸性抗蚀剂组合物和使用其得到的基材加工品
94-5、抗蚀剂用交联型聚合物
94-6、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
94-7、一种干膜抗蚀剂组合物
94-8、一种光聚合单体，及其组成的高分辨率高附着LDI干膜抗蚀剂
94-9、光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法
95-0、感光化射线性或感辐射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
95-1、树脂、光致抗蚀剂组合物和制造半导体器件的方法
95-2、感光化射线性或感辐射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
95-3、正型干膜抗蚀剂及蚀刻方法
95-4、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
95-5、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
95-6、感光化射线性或感辐射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
95-7、光致抗蚀剂层表面处理和形成光致抗蚀剂图案的方法
95-8、一种感光性树脂组合物及抗蚀剂层压体
95-9、用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
96-0、抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法
96-1、形成光致抗蚀剂图案的方法
96-2、用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物
96-3、一种干膜抗蚀剂
96-4、聚合物及光致抗蚀剂组合物
96-5、制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物和方法
96-6、鎓盐化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法
96-7、用投影光学器件实现通过抗蚀剂厚度的倾斜图案化的方法
96-8、光刻图案化工艺和在其中使用的抗蚀剂
96-9、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法
97-0、一种抗静电干膜抗蚀剂用聚酯薄膜及其制备方法
97-1、鎓盐化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法
97-2、抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法
97-3、光致抗蚀剂图案形成方法
97-4、感光树脂组合物、干膜抗蚀剂和PCB板的制作方法
97-5、含有磺酸
