1、磷化铟基板和半导体外延晶片
[简介]：一种磷化铟基板，其直径为50mm以上，除了边缘部以外的基板表面整体的波纹度Wq为200nm以下，除了边缘部以外的基板表面整体的波纹度Wq按以下的（1）～（2）的顺序测定。（1）将从外周起向中心5mm以内的区域设为“边缘部”，将晶片的除了从外周起向中心5mm以内的区域以外的晶片表面整体设为“除了边缘部以外的基板表面整体”。（2）使用激光显微镜的白色干涉测定功能来测定波纹度Wq。以1mm×40mm的范围的基板表面的短尺寸方向上的中心为基准线，将4.5μm间隔的20根线设为一个测定间隔，求出相对于短尺寸方向平行移动的周围根数10根和基准线的合计11根在长尺寸方向上横跨40mm的波纹度，将其平均值作为所述波纹度Wq。
2、一种磷化铟量子点的表面预钝化方法及其核壳结构量子点的制备方法
[简介]：本技术涉及半导体纳米材料技术领域，尤其涉及一种磷化铟量子点的表面预钝化方法及其核壳结构量子点的配方技术。本技术将铟前驱体、六氟磷酸盐、配体混合，脱气后保持氮气氛围加热至200~220℃，加入膦前驱体，进行反应，得到磷化铟量子点。本技术利用PF6−离子在反应条件下水解产生的F−离子，与表面未配位的铟位点（悬挂键）特异性结合，形成In‑F键，有效解决了传统阳离子钝化策略难以解决的铟缺陷。预钝化处理创造了一个清洁、低缺陷的InP核心表面，减少了在后续ZnSe/ZnS壳层外延生长过程中因界面晶格失配和异质成核所产生的界面缺陷，制备的InP/ZnSe/ZnS核壳量子点光致发光量子产率显著提升。
3、一种磷化铟多晶生长炉
[简介]：本技术提供了一种磷化铟多晶生长炉，涉及磷化铟多晶生长技术领域，包括底架，底架的顶端对称安装有调节结构，底架的顶端转动连接有旋转架，调节结构用于对旋转架的角度进行调节限制，旋转架上固定安装有生长炉本体。本技术采用双层套筒与可流动传热介质组成的动态热桥阻断机制，正常生长时，双层套筒内充满高导热介质以填补物理间隙，确保热量高效穿透并传输至石英安瓿瓶处，当感知到炉内压力或温度失控等危急工况时，感应机构触发阻断动作，将双层套筒内的介质极速排空，使其内部瞬间恢复为中空的气体或真空隔热层，可以使得热阻激增，瞬间切断了下端加热单元向石英安瓿瓶的热量传输，避免了底部反应区受热失控的问题。
4、一种磷化铟晶片的低机械损伤研磨方法
[简介]：本技术属于半导体衬底技术领域，尤其涉及一种磷化铟晶片的低机械损伤研磨方法；提供的一种磷化铟晶片的低机械损伤研磨方法通过将粒径逐渐降低的第一金刚石、第二金刚石以及第三金刚石磨料，配制为浓度逐渐降低的第一金刚石、第二金刚石以及第三金刚石研磨液；并采用这三种不同规格的金刚石研磨液依次进行第一、第二和第三研磨，研磨过程能在保证研磨去除大部分加工余量的同时，有效抑制新损伤的产生，并通过轻触式柔和研磨和释放研磨应力，最大限度地避免质地较脆的磷化铟晶片在研磨过程中的机械损伤，得到具备优异全局平整度和低表面损伤层的磷化铟研磨晶片，可解决现有技术研磨磷化铟晶片过程中，容易出现损伤层和平整度缺陷的技术问题。
5、磷化铟基板和半导体外延晶片
[简介]：本技术提供一种能够兼顾提高使用了定向平面的晶片对准精度和抑制崩边发生的磷化铟基板和半导体外延晶片。一种圆盘状的磷化铟基板，其具有主面、背面、以及定向平面，其中，从主面侧的定向平面起的倒角宽度小于90μm，从背面侧的定向平面起的倒角宽度、从主面侧的边缘部起的倒角宽度、以及从背面侧的边缘部起的倒角宽度分别为90μm以上。
6、磷化铟基板和半导体外延晶片
[简介]：一种磷化铟基板，其中，直径为50mm以上，除了边缘部以外的基板表面整体的波纹度Wa为150nm以下，除了边缘部以外的基板表面整体的波纹度Wa按以下的（1）～（2）的顺序测定，（1）将从外周起向中心5mm以内的区域设为“边缘部”，将晶片的除了从外周起向中心5mm以内的区域以外的晶片表面整体设为“除了边缘部以外的基板表面整体”，（2）使用激光显微镜的白色干涉测定功能来测定波纹度Wa。以1mm×40mm的范围的基板表面的短尺寸方向上的中心为基准线，将4.5μm间隔的20根线设为一个测定间隔，求出相对于短尺寸方向平行移动的周围根数10根和基准线的合计11根在长尺寸方向上横跨40mm的波纹度，将其平均值作为波纹度Wa。
7、一种磷化铟表面蚀刻、钝化双功能蚀刻液
[简介]：本技术属于半导体制造领域，提供了一种InP表面蚀刻、钝化双功能蚀刻液，利用苯磺酸或其衍生物、氧化剂和有机溶剂的协同作用，实现对InP表面残留物及氧化层的高精度、高质量蚀刻和表面自钝化；苯磺酸或其衍生物能有效蚀刻InP表面残留物及氧化层；同时，苯磺酸或其衍生物能够通过络合溶解的金属离子提升表面平整度，并能够络合在InP表面形成有机‑无机复合钝化层；通过有机溶剂复配能够调节苯磺酸或其衍生物的电离程度，调节蚀刻速率，提升蚀刻精度；氧化剂的加入能够抑制PH3生成，提高蚀刻工艺安全性和环境保护性。本技术蚀刻液具有低损伤、高稳定性、高精度和环保的特点，为InP半导体的表面蚀刻和钝化处理提供了新的工艺思路和解决方法。
8、基于流体压力的磷化铟晶圆衬底清洗控制方法
[简介]：本技术提供了基于流体压力的磷化铟晶圆衬底清洗控制方法及系统，涉及半导体材料加工技术领域。该方法包括：获取不同晶向上的基准晶格响应速率、恢复速率与畸变可逆范围阈值；清洗过程中实时测量各区域的流体冲击压力和晶格应变值，生成实时晶格响应速率；间歇性降压测量实时晶格恢复速率；将实时速率与基准速率比对生成响应偏差和恢复偏差，据此识别晶格损伤风险区域；对风险区域的晶格应变值经偏差修正后与阈值比对，对非风险区域直接比对，生成各区域临界可逆压力；根据各区域临界压力输出面向不同晶向的动态压力调控基准。本技术实现了晶圆清洗过程中晶格状态的实时监测与损伤风险识别，为差异化压力调控提供了精准基准。
9、一种磷化铟多晶料坩埚装料方法及其应用
10、一种大尺寸、半绝缘磷化铟单晶的生长方法
11、磷化铟单晶衬底、磷化铟单晶衬底的制造方法以及磷化铟单晶晶锭
12、一种大尺寸磷化铟晶片的清洗方法
13、基于AI校准多温区的磷化铟单晶生长动态热场控制方法
14、一种磷化铟衬底的化蜡试剂及化蜡方法和磷化铟外延片
15、一种改善外延发雾的磷化铟衬底清洗工艺
16、具有高稳定氧化态表面特性的磷化铟清洗方法
17、降低磷化铟晶片划伤的研磨方法
18、一种抑制VGF法磷化铟位错缺陷的方法
19、一种柔性硅基-磷化铟太阳电池及其制备方法
20、一种2微米波段砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区结构及其制备方法
21、一种抑制VGF法磷化铟孪晶缺陷的方法
22、含有锌和铁的磷化铟晶体、单晶片及其制备方法和器件
23、一种高均匀性磷化铟晶体生长方法
24、一种新型磷化铟基垂直面发射激光器
25、一种磷化铟晶片的雾化清洗方法
26、不同形状、不同尺寸多晶材料制备磷化铟单晶的工艺
27、一种硅基磷化铟激光器及其制备方法
28、一种基于隧穿结的侧向磷化铟二极管及其制备方法
29、一种磷化铟衬底的碱性抛光液及抛光方法和磷化铟抛光片
30、一种磷化铟衬底的碱性抛光液及制备方法和应用
31、一种聚苯乙烯-马来酸酐共聚物基磷化铟量子点复合膜、制备方法及应用
32、一种磷化铟高效化学机械抛光液、制备方法及抛光方法
33、一种磷化铟量子点墨水及其制备方法与应用
34、一种磷化铟晶片的高速率低损伤双面研磨方法
35、一种磷化铟晶片表面脏污高效去除的轻腐蚀配方及处理方法
36、一种大尺寸磷化铟单晶制备炉芯
37、一种硫化铟掺杂的6.5吋N型磷化铟单晶及其制备方法
38、一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法
39、磷化铟抛光液及磷化铟抛光液的制备方法
40、一种磷化铟籽晶的高精度制备方法
41、一种磷化铟废料与海绵钛废料协同回收方法
42、一种6.5吋半绝缘型磷化铟单晶的制备方法
43、一种大尺寸P型磷化铟单晶的制备方法
44、一种提高磷化铟去除速率和表面质量的二氯异氰尿酸钠复合抛光液
45、五级温控4.5吋磷化铟VGF单晶炉
46、一种4.5英寸磷化铟单晶生长温度梯度控制方法
47、一种五级温控磷化铟单晶生长炉
48、一种基于金刚石衬底的铌酸锂-磷化铟光电集成器的集成方法
49、一种提升磷化铟晶圆开管扩散均匀性的区域性掩膜方法
50、一种具有核壳结构的磷化铟量子点及其合成方法和应用
51、一种磷化铟晶片的清洗工艺
52、一种磷化铟晶片生产加工用储存盒
53、一种磷化铟锌硒硫量子点材料、制备方法和光电化学电池
54、一种水溶性磷化铟量子点及其制备方法和应用
55、一种适用于磷化铟衬底抛光的化学机械粗抛组合物
56、含有硫和锡的磷化铟晶体、单晶片及其制备方法和器件
57、一种磷化铟外延片返抛的加工方法
58、磷化铟基板和半导体外延晶片
59、基于传感器网络的磷化铟单晶生长温度控制方法
60、一种水溶性近红外磷化铟量子点及其制备方法和应用
61、一种磷化铟废料中回收铟的方法
62、一种蓝色镍掺杂磷化铟量子点的图案化方法
63、磷化铟单晶的制备方法以及磷化铟单晶
64、一种磷化铟衬底研磨加工方法
65、磷化铟单晶衬底以及磷化铟单晶的制造方法
66、含有掺入元素的磷化铟晶体、单晶片及其制备方法、器件
67、一种磷化铟量子点-钨酸铋复合材料及其制备方法与应用
68、一种铝掺杂降低核壳型磷化铟量子点荧光半峰宽的方法及其产品
69、一种磷化铟多晶装料辅助工具
70、制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
71、一种磷化铟芯片抛光用腐蚀液、磷化铟芯片抛光方法及磷化铟芯片
72、一种高荧光量子产率磷化铟纳米晶的制备方法
73、一种磷化铟单晶薄膜的高质量定向远程外延方法和剥离转移方法
74、一种提高磷化铟单晶成晶率的生长方法
75、一种用于生长磷化铟晶体的坩埚
76、一种VGF和VB联动的磷化铟单晶生长方法
77、全自动磷化铟料清洗机
78、具有电介质DBR的磷化铟VCSEL
79、一种磷化铟核壳型量子点及其发光效率提升方法
80、一种磷化铟多晶的制备方法和磷化铟多晶合成反应器
81、一种磷化铟单晶生长炉以及生长方法
82、一种磷化铟单晶的制备方法
83、一种磷化铟单晶的制备方法和磷化铟单晶生长用阶梯式坩埚
84、一种金刚石基氮化镓与磷化铟异质集成的制备方法
85、一种磷化铟半导体材料的合成工艺
86、一种具有渐变结构的磷化铟核壳量子点及其制备方法
87、一种基于磷化铟量子点的光电化学生物传感器制备方法
88、一种磷化铟晶圆减薄砂轮及其制备方法
89、一种两步法合成铝掺杂的磷化铟量子点的方法及其产品
90、一种磷化铟量子点及其制备方法
91、磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
92、一种大尺寸近红外发光的磷化铟量子点的制备方法
93、一种多界面耦合磷化铟量子点及电致发光二极管制备方法
94、一种磷化铟单晶的加工方法和应用
95、一种回收磷化铟尾料制备高纯红磷的方法
96、高亮度、高稳定性水溶性磷化铟基量子点及其制备方法和应用
97、一种磷化铟单晶的生长方法
98、一种降低磷化铟晶体缺陷的方法
99、一种磷化铟晶体的生长工艺
10-0、基于双层坩埚的磷化铟单晶生长方法
10-1、一种从磷化铟废料中回收铟的方法
10-2、一种掺铁磷化铟半绝缘外延层及掩埋异质结构的制作方法
10-3、一种磷化铟多晶合成方法
10-4、由磷化铟或砷化镓制成的多层结构
10-5、一种磷化铟/磷晶体外延异质结构及其制备方法和应用
10-6、发射光谱可调的铝掺杂磷化铟核壳型量子点及其制备方法
10-7、一种熔融法制备磷化铟晶体的合成工艺
10-8、基于模糊控制的磷化铟单晶生产温度控制方法
10-9、磷化铟晶片自动清洗过程中流动硫酸用量控制的方法
11-0、一种稳定磷化铟多晶合成温场的方法
11-1、一种具有近红外发射光的磷化铟核壳量子点的制备方法及应用
11-2、一种磷化铟晶片的清洗工艺
11-3、一种基于三吡咯烷膦的核壳结构磷化铟量子点及其制备方法和应用
11-4、一种高精度磷化铟太赫兹集成在片探针制备方法
11-5、一种磷化铟晶片的腐蚀方法
11-6、一种红光磷化铟纳米晶的制备方法及红光磷化铟纳米晶
11-7、一种具有窄发射光谱的磷化铟量子点制备方法
11-8、基于磷化铟单晶生产过程炉温大数据驱动热场控制的方法
11-9、磷化铟单晶生长过程的可视化建模及数字化生产方法
12-0、一种磷化铟E/D多功能芯片及制备方法
12-1、一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法
12-2、一种利用三甲基铟合成磷化铟外延片的生产工艺
12-3、一种提高磷化铟异质结晶体管频率性能的基区结构
12-4、一种利用磷化铟单晶切割废料制备磷化铟多晶的方法
12-5、一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法
12-6、一种用于磷化铟生产的生长炉
12-7、磷化铟碎片制备多晶的方法
12-8、一种磷化铟晶片的退火方法
12-9、一种利用三氯化磷合成磷化铟外延薄膜晶片的生产工艺
13-0、一种磷化铟纳米线及其制备方法
13-1、磷化铟纳米晶的制备方法及磷化铟纳米晶
13-2、一种稀土掺杂磷化铟蓝光量子点及其制备方法
13-3、一种磷化铟抛光药液及抛光方法
13-4、一种磷化铟废料综合回收方法
13-5、磷化铟基板、半导体外延晶片、磷化铟单晶锭的制造方法以及磷化铟基板的制造方法
13-6、一种多晶磷化铟材料的纯化方法
13-7、磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延晶片
13-8、一种单面磷化铟晶片的制备方法
13-9、一种降低磷化铟晶片表面硅杂质浓度的方法
14-0、一种具有大斯托克斯位移的磷化铟量子点的制备方法
14-1、一种熔盐体系高效回收磷化铟废料中铟和磷的方法
14-2、一种真空合成磷化铟多晶的方法
14-3、一种具有可旋转定位的磷化铟单晶参考边定向工装夹具
14-4、一种磷化铟多晶晶体头尾切断工装夹具
14-5、磷化铟基板
14-6、磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延片
14-7、掺杂硫的磷化铟单晶棒制法及单晶棒、单晶片及制法、用途
14-8、一种磷化铟多晶的制备方法
14-9、小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法
15-0、一种磷化铟废料高效回收精铟的方法
15-1、一种磷化铟多晶合成的方法
15-2、一种回炉用非配比磷化铟多晶料的清洗方法
15-3、一种磷化铟-钙钛矿四端叠层太阳能电池及其制备方法
15-4、一种用于磷化铟抛光的化学机械抛光液与抛光工艺
15-5、一种适用于磷化铟单晶生长的外加行波磁场控制方法
15-6、一种磷化铟单晶及其制备方法
15-7、一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法
15-8、一种降低核壳型磷化铟量子点荧光半峰宽的方法
15-9、一种磷化铟的合成方法
16-0、一种磷化铟缺陷晶棒分割制备单晶衬底片的方法
16-1、磷化铟异质结双极晶体管及其制作方法
16-2、低腐蚀坑密度、低滑移线密度、以及低应变磷化铟
16-3、磷化铟高电子迁移率晶体管及其制备方法
16-4、一种磷化铟晶片的表面处理方法
16-5、磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法
16-6、磷化铟双异质结双极型晶体管
16-7、一种黄光磷化铟量子点的制备方法
16-8、一种模斑转换器中的磷化铟垂直楔形结构的制备方法
16-9、磷化铟基模斑转换器及其设计方法
17-0、磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法
17-1、一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的方法
17-2、一种磷化铟多晶料的清洗方法
17-3、一种绿光磷化铟量子点的制备方法
17-4、一种窄线宽磷化铟量子点的制备方法
17-5、一种磷化铟清洗用清洗液及其制备方法与清洗方法
17-6、一种平面掺杂磷化铟基高电子迁移率晶体管及其制备方法
17-7、一种磷化铟晶体多线切割切削液及其制备方法
17-8、一种磷化铟研磨工艺与磷化铟
17-9、一种磷化铟加工机器人及信息交互方法
18-0、一种磷化铟减薄腐蚀液及其应用
18-1、一种磷化铟中铟的回收方法
18-2、一种氧化铟/磷化铟空心六棱柱p-n结异质结构光催化剂及其制备和应用
18-3、一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片
18-4、一种硫醇类化合物界面修饰磷化铟量子点提高电致发光器件性能的方法
18-5、一种基于氧化锡作为电子注入层的磷化铟量子点电致发光器件及其制备
18-6、一种磷化铟晶片及其制备方法
18-7、一种磷化铟晶片的超洁净清洗方法及应用
18-8、一种磷化铟籽晶的制备方法
18-9、一种蒸发雾化腐蚀磷化铟晶片的方法
19-0、一种抛光液用磨料及磷化铟晶体精抛用抛光液及其制备方法
19-1、一种磷化铟的减薄抛光方法
19-2、一种磷化铟晶片及其混合清洗工艺
19-3、一种磷化铟衬底晶片的清洗方法
19-4、一种磷化铟尾料制备磷化铟多晶的方法
19-5、一种金属衬底磷化铟单晶层及其制备方法及其应用
19-6、一种制备超宽发光谱的砷化铟/磷化铟量子点激光器外延片的方法
19-7、一种磷化铟晶片的化蜡方法
19-8、一种磷化铟晶片的腐蚀方法
19-9、提高磷化铟量子点量子产率的方法
20-0、一种磷化铟晶片的清洗方法
20-1、磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法
20-2、一种VGF法生长磷化铟单晶的方法
20-3、磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法
20-4、磷化铟基板
20-5、用于电光集成磷化铟基相位调制器的改进构建块
20-6、一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺
20-7、具有电介质DBR的磷化铟VCSEL
20-8、一种铜掺杂磷化铟硒化锌量子点材料及其制备方法和光电化学电池
20-9、一种具有核壳结构的磷化铟量子点及其制备方法
21-0、一种半绝缘磷化铟的制备方法
21-1、一种磷化铟衬底的制备方法
21-2、磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
21-3、磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
21-4、磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
21-5、一种磷化铟晶片的清洗方法
21-6、一种磷化铟衬底的抛光工艺
21-7、一种磷化铟晶片的研磨方法
21-8、一种提升磷化铟中锌掺杂浓度的方法
21-9、一种磷化铟半导体材料的合成方法
22-0、一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法
22-1、有硫化硒和硫化锌外壳的磷化铟量子点、制备方法及其在白光QLED器件的应用
22-2、一种磷化铟芯片抛光液及其制备方法
22-3、一种磷化铟衬底的清洗方法
22-4、磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的磷化铟纳米晶
22-5、磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的磷化铟纳米晶
22-6、磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底
22-7、基于三（二甲氨基）膦的不同中间壳层的磷化铟核壳量子点及其制备方法
22-8、青光磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的产品
22-9、红光磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的产品
23-0、磷化铟核壳结构量子点及其制备方法和应用
23-1、一种砷化镓/磷化铟量子传感器及其使用方法
23-2、磷化铟衬底和制造磷化铟衬底的方法
23-3、磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的产品
23-4、磷化铟纳米晶的制备方法及由其制备的产品
23-5、磷化铟纳米晶的制备方法
23-6、一种四通道磷化铟光I/Q零中频信道化接收芯片
23-7、增大磷化铟量子点发光核尺寸的制备方法
23-8、一种磷化铟-氧化铟p-n结多孔微球复合材料及其制备方法和应用
23-9、一种磷化铟量子点的制备方法
24-0、一种磷化铟晶体及其生长方法
24-1、一种液态磷注入法合成磷化铟的方法
24-2、磷化铟晶体基板
24-3、磷化铟晶棒裁切衬底晶圆片的方法
24-4、具有周期核壳结构的超大尺寸磷化铟量子点的制备方法
24-5、具有梯度核壳结构的大尺寸磷化铟量子点的制备方法
24-6、一种磷化铟双异质结双极型晶体管制造方法
24-7、一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法
24-8、一种基于贝叶斯统计的磷化铟晶体管建模方法
24-9、一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法
25-0、一种磷化铟和硅晶片键合方法
25-1、一种磷化铟晶片加工方法
25-2、一种磷化铟基光学混频器及其制备方法
25-3、磷化铟单结晶体和磷化铟单结晶衬底
25-4、一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法
25-5、一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池及其制备方法
25-6、一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法
25-7、一种具有核壳结构的磷化铟量子点及其制备方法和用途
25-8、一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法
25-9、一种磷化铟纳米晶的制备方法
26-0、一种磷化铟晶圆片及其外延晶圆片的衬底抛光模具
26-1、背面有凹坑的磷化铟晶片、制法和制备其的腐蚀液
26-2、背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液
26-3、一种磷化铟晶片抛光液
26-4、一种提高半绝缘磷化铟单晶片电阻率均匀性的方法
26-5、一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法
26-6、一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法
26-7、基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法
26-8、一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
26-9、一种N型磷化铟单晶的配方及其制备方法
27-0、一种含磷化铟掺杂改性TiO2的光催化材料催化降解抗生素废水的方法
27-1、一种磷化铟纳米锥膜及其制备方法和应用
27-2、用于磷化铟晶片的下盘方法
27-3、富铟磷化铟多晶料的循环利用方法
27-4、磷化铟包覆硫化铟的核壳结构半导体纳米片材料及其制备方法
27-5、一种磷化铟单晶片的腐蚀方法
27-6、一种掺铁磷化铟单晶片的退火方法
27-7、一种生产磷化铟的高压炉压力控制方法
27-8、一种抑制石英容器对磷化铟熔体污染的方法
27-9、磷化铟扩散方法
28-0、一种磷化铟多晶材料的清洗方法
28-1、制备正四面体形发光磷化铟/硫化锌核壳结构量子点方法
28-2、一种P型磷化铟单晶制备配方及制备方法
28-3、一种磷化铟量子点的制备方法
28-4、磷化铟衬底、检查磷化铟衬底的方法和制造磷化铟衬底的方法
28-5、磷化铟晶锭切割（100）晶片的方法
28-6、一种基于磷化铟阻变材料的阻变存储器及其制备方法
28-7、一种磷化铟背孔的制作方法
28-8、从磷化铟废料中综合回收铟和磷的方法
28-9、一种纳米碳/磷化铟量子点异质结的制备方法
29-0、一种石墨烯/磷化铟复合电极材料及其制备方法
29-1、减薄磷化铟层的方法
29-2、一种还原氧化石墨烯/磷化铟复合纳米材料及制备方法
29-3、一种二氧化钛/磷化铟复合材料的制备方法及用途
29-4、磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法
29-5、一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构
29-6、磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法
29-7、一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法
29-8、一种电场调控的石墨烯/磷化铟太阳电池及其制备方法
29-9、一种锡掺杂磷化铟量子点敏化太阳能电池的制备方法
30-0、制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
30-1、一种石墨烯/磷化铟太阳电池及其制备方法
30-2、磷化铟异质结晶体管发射区材料干湿法结合刻蚀制作方法
30-3、一种磷化铟基高电子迁移率晶体管结构及制备方法
30-4、磷化铟生长坩埚清洗方法
30-5、一种磷化铟生长的压力罐
30-6、一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作方法
30-7、一种磷化铟生长的多晶碎料清洗方法
30-8、一种N型磷化铟单晶生长制备配方
30-9、一种半绝缘磷化铟单晶生长制备配方
31-0、一种改善磷化铟单晶切割片翘曲度的方法
31-1、磷化铟晶片退火盒
31-2、一种磷化铟基异质结晶体管亚微米发射极的制作方法
31-3、一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法
31-4、一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法
31-5、液相法制备纳米磷化铟材料
31-6、磷化铟基平面光波光路波导芯片的研磨方法及夹具
31-7、磷化铟多晶材料的快速合成方法及其多管石英磷泡
31-8、一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
31-9、太赫兹的磷化铟耿氏管制备方法
32-0、制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
32-1、一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法
32-2、一种用于磷化铟制备的高压炉
32-3、在磷化铟衬底上制备T型栅的方法
32-4、在磷化铟衬底上制备T型栅的方法
32-5、一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
32-6、磷化铟晶片及其表面清洗方法
32-7、一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法
32-8、在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法
32-9、一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法
33-0、磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片
33-1、硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法
33-2、计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法
33-3、锂离子电池氧化铬-磷化铟纳米复合负极材料及其制备方法
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